TRANSISTORES y MODULOS DE POTENCIA RF

TRANSISTOR
2SC-1826 Transistor NPN de silicio
Diseñado para amplificadores de potencia de baja frecuencia
Referencia: 2SC-1826
Repuesto original SANKEN
P.V.P. 2,93 € + IVA

TRANSISTOR
2SC-1969 transistor tipo epitaxial NPN de silicio
Diseñado para amplificadores de potencia de RF
en aplicaciones de radio en bandas de HF
Caracteristicas: High Power Gain Gpe=12dB, f= 27MHz, PO=16W
Referencia: 2SC-1969
Repuesto original NEC
P.V.P. 13,44 € + IVA

TRANSISTOR
2SC-1971 transistor tipo epitaxial NPN de silicio
Diseñado para amplificadores de potencia de RF
en aplicaciones de radio en bandas de VHF
Caracteristicas: High power gain: Gpe = 10dB,
@VCC = 13.5V, Po = 6W, f = 175 MHz.
Referencia: 2SC-1971
Repuesto original MITSUBISHI
P.V.P. 7,34 € + IVA

TRANSISTOR RF
2SC-1972 transistor tipo epitaxial NPN de silicio
Diseñado para amplificadores de potencia de RF
en aplicaciones de radio en bandas de VHF
Caracteristicas: High power gain: Gpe = 7,5 dB,
@VCC = 13.5 V, Po = 14 W, f = 175 MHz.
Referencia: 2SC-1972
Repuesto original MITSUBISHI
P.V.P. 20,96 € + IVA

TRANSISTOR RF
2SC-2237 transistor tipo epitaxial NPN de silicio
Diseñado para amplificadores de potencia de RF
en aplicaciones de radio en bandas de VHF
Caracteristicas: High power gain: Gpe = 13,8dB,
@VCC = 13.5 V, Po = 6 W, f = 175 MHz.
Referencia: 2SC-2237
Repuesto original MITSUBISHI
P.V.P. 15,36 € + IVA

TRANSISTOR RF
2SC-2640 transistor tipo epitaxial NPN de silicio
Diseñado para amplificadores de potencia de RF
en aplicaciones de radio en bandas de VHF
Caracteristicas: High power gain
@VCC = 12.5 V, Po = 28 W, f = 175 MHz.
Referencia: 2SC-2640
Repuesto original TOSHIBA
P.V.P. 29,34 € + IVA

TRANSISTOR RF
MOS-FET MRF-422 transistor de potencia RF NPN de silicio
Diseñado para amplificadores de potencia de RF
en aplicaciones de radio en bandas de HF
Caracteristicas: High power gain: Gpe = 10.0 dB,
@VCC = 28 V, Po = 150 W, f = 30 MHz.
Referencia: MRF-422
Repuesto original MACOM
P.V.P. 56,05 € + IVA

TRANSISTOR RF
MOS-FET MRF-450A transistor de potencia RF NPN de silicio
Diseñado para amplificadores de potencia de RF
en aplicaciones de radio en bandas de HF
Caracteristicas: High power gain: Gpe = 11.0 dB,
@VCC = 12,5 V, Po = 50 W, f = 30 MHz.
Referencia: MRF-450A
Repuesto original MOTOROLA
P.V.P. 69,23 € + IVA

TRANSISTOR RF
MOS-FET MRF-1946 transistor de potencia RF NPN de silicio
Diseñado para amplificadores de potencia de RF
en aplicaciones de radio en bandas de VHF
Caracteristicas: High power gain: Gpe = 10.0 dB,
@VCC = 12.5 V, Po = 30 W, f = 175 MHz.
Referencia: MRF-1946
Repuesto original MOTOROLA
P.V.P. 42,08 € + IVA

TRANSISTOR RF
MOS-FET RFM70U12D transistor de potencia RF NPN de silicio
Diseñado para amplificadores de potencia de RF
en aplicaciones de radio en bandas de VHF y UHF
Caracteristicas: High power gain: Gpe = 7,7 dB,
@VCC = 15,2 V, Po = 70 W, f = 520 MHz.
Referencia: RFM70U12D
Repuesto original TOSHIBA
AGOTADOS TEMPORALMENTE

MODULO DE POTENCIA RF
M57796MA Modulo de potencia RF
Diseñado para amplificadores de potencia de RF
en aplicaciones de radio en bandas de VHF
Caracteristicas:
Frequency Range 144 - 148 MHz.
Input Power, Pin 0.4 W
Output Power, Pout 10 W
Total efficiency 50%
Referencia: M57796MA
Repuesto original MITSUBISHI
P.V.P. 38,35 € + IVA

MENU

PRINCIPAL MSM REPUESTOS REPUESTOS EQUIPOS DE RADIO REPUESTOS ACCESORIOS RADIO ACCESORIOS RADIO POR MARCA OUTLET MSM COMUNICACIONES

INFORMACION msm@msmcomunicaciones.com